一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

本實(shí)驗(yàn)旨在通過集成電路CAD工具，完成一個CMOS工藝下的二輸入與非門（NAND2）的完整設(shè)計(jì)流程，包括電路設(shè)計(jì)、版圖繪制、設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）、版圖與電路圖一致性檢查（LVS）以及后仿真驗(yàn)證。通過此實(shí)驗(yàn)，學(xué)生應(yīng)掌握數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元的基本設(shè)計(jì)方法，理解晶體管級電路與物理版圖之間的映射關(guān)系，并熟悉使用EDA工具進(jìn)行集成電路設(shè)計(jì)與驗(yàn)證的基本流程。

二、實(shí)驗(yàn)原理

1. 二輸入與非門（NAND2）電路原理：
采用CMOS靜態(tài)邏輯結(jié)構(gòu)。一個二輸入與非門由兩個并聯(lián)的PMOS管（作為上拉網(wǎng)絡(luò)）和兩個串聯(lián)的NMOS管（作為下拉網(wǎng)絡(luò)）構(gòu)成。其邏輯功能為：輸出 Y = !(A · B)。當(dāng)輸入A與B均為高電平時(shí)，兩個NMOS管導(dǎo)通，PMOS管截止，輸出Y為低電平；其他輸入組合下，至少一個PMOS管導(dǎo)通而NMOS串聯(lián)通路斷開，輸出Y為高電平。

2. 版圖設(shè)計(jì)基礎(chǔ)：
版圖是電路物理實(shí)現(xiàn)的幾何圖形描述，需遵循特定的工藝設(shè)計(jì)規(guī)則（Design Rules）。主要圖層包括有源區(qū)（AA）、多晶硅柵（Poly）、接觸孔（Contact）、金屬互連線（Metal1等）以及N阱（N-well）等。設(shè)計(jì)時(shí)需考慮晶體管尺寸（W/L）、寄生效應(yīng)、面積優(yōu)化以及信號完整性。

3. 仿真驗(yàn)證流程：
通常包括前仿真（電路功能驗(yàn)證）和后仿真（提取版圖寄生參數(shù)后的仿真）。后仿真能更真實(shí)地反映電路的實(shí)際性能，包括延遲、功耗和噪聲容限等。

三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與步驟

1. 電路圖設(shè)計(jì)：
使用電路圖編輯器（如Virtuoso Schematic），根據(jù)CMOS NAND2結(jié)構(gòu)，放置兩個PMOS管（寬長比通常設(shè)置得比NMOS大以平衡上升/下降時(shí)間）和兩個NMOS管，并連接電源VDD、接地GND、輸入端口A、B以及輸出端口Y。完成電氣連接并生成電路符號（Symbol）。

2. 前仿真：
建立仿真環(huán)境，對電路圖進(jìn)行瞬態(tài)分析（Transient Analysis）。設(shè)置輸入A、B為脈沖信號，驗(yàn)證其邏輯功能與時(shí)序特性（如上升時(shí)間、下降時(shí)間、傳播延遲）。記錄仿真波形，確認(rèn)功能正確。

3. 版圖設(shè)計(jì)：
使用版圖編輯器（如Virtuoso Layout）進(jìn)行物理設(shè)計(jì)。

• 布局規(guī)劃：合理規(guī)劃PMOS管（位于N阱內(nèi)）與NMOS管的位置，考慮電源線（VDD/GND）的走向與寬度。

• 晶體管繪制：根據(jù)電路圖確定的寬長比（W/L），繪制有源區(qū)和多晶硅柵，形成四個MOS管。確保尺寸符合設(shè)計(jì)規(guī)則。

• 互連：使用Metal1等金屬層連接晶體管的源/漏極（通過接觸孔）、柵極，并連接輸入/輸出端口以及電源/地。力求連線最短，減少寄生電阻電容。

• 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）：運(yùn)行DRC，根據(jù)工藝文件檢查版圖是否符合所有幾何設(shè)計(jì)規(guī)則（如最小寬度、最小間距、包圍等）。修正所有DRC錯誤。

4. 版圖與電路圖一致性檢查（LVS）：
運(yùn)行LVS工具，將提取出的版圖網(wǎng)表與原始電路圖網(wǎng)表進(jìn)行比對，確保兩者在電氣連接性、器件類型和尺寸上完全一致。解決任何不匹配問題。

5. 寄生參數(shù)提取與后仿真：
從通過DRC和LVS的版圖中提取寄生電阻和電容（RC Extraction）。將帶寄生參數(shù)的網(wǎng)表導(dǎo)入仿真環(huán)境，進(jìn)行與步驟2相同的瞬態(tài)分析。對比前仿真與后仿真的結(jié)果（如輸出波形、延遲時(shí)間），分析寄生效應(yīng)帶來的影響。

四、實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

1. 電路功能驗(yàn)證：前仿真波形顯示，當(dāng)A、B同時(shí)為高電平時(shí)，輸出Y為低電平；其他情況下Y為高電平。符合NAND2真值表，功能正確。

1. 版圖實(shí)現(xiàn)：成功繪制出面積緊湊、布線清晰的NAND2版圖。DRC與LVS均通過，證明版圖既符合工藝制造要求，又與設(shè)計(jì)電路電氣等效。版圖主要體現(xiàn)了共享源/漏、金屬走線優(yōu)化等設(shè)計(jì)技巧。

1. 性能仿真對比：

• 前仿真結(jié)果：在典型工藝角（TT）和設(shè)定負(fù)載下，測得輸出由高到低的傳輸延遲（tphl）約為XX ps，由低到高的延遲（tplh）約為YY ps。

• 后仿真結(jié)果：由于包含了連線寄生RC，相同條件下的tphl約為XX+Δ ps，tplh約為YY+Δ ps。延遲均有所增加，證明了寄生效應(yīng)會劣化電路速度。功耗仿真也顯示后仿真的動態(tài)功耗略有增加。

五、實(shí)驗(yàn)結(jié)論

本次實(shí)驗(yàn)成功完成了CMOS二輸入與非門從電路設(shè)計(jì)到物理版圖，再到最終驗(yàn)證的完整集成電路設(shè)計(jì)流程。通過實(shí)踐，深刻理解了數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元的設(shè)計(jì)方法、CMOS版圖的藝術(shù)（如器件匹配、面積與性能的權(quán)衡）以及后端物理驗(yàn)證（DRC/LVS）的重要性。后仿真與前仿真的差異凸顯了在深亞微米設(shè)計(jì)中考慮寄生效應(yīng)的必要性。本實(shí)驗(yàn)為后續(xù)更復(fù)雜的數(shù)字電路與系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

六、思考與改進(jìn)

1. 如何進(jìn)一步優(yōu)化版圖以減少面積？可考慮更緊湊的器件布局、更多共享擴(kuò)散區(qū)、使用高層金屬跨線等。
2. 如何提高電路速度？可調(diào)整PMOS與NMOS的尺寸比例，或采用緩沖器驅(qū)動大負(fù)載。
3. 實(shí)驗(yàn)僅限于一個門電路，在實(shí)際芯片中需考慮與相鄰單元的連接、電源網(wǎng)絡(luò)完整性以及全局時(shí)鐘分布等系統(tǒng)級問題。